SK hynix Inc. повідомляє результати третього кварталу 2019 року


SK hynix Inc. today announced financial results for its third quarter 2019 ended on September 30, 2019. The consolidated third quarter revenue was 6.84 trillion won while the operating profit amounted to 473 billion won and the net income 495 billion won. Operating margin and net margin for the quarter was 7%.

Дохід у третьому кварталі збільшився на 6% порівняно з кварталом (QoQ), коли попит почав зростати. Однак операційний прибуток знизився на 26% QoQ, оскільки зниження собівартості одиничної пам'яті було недостатньо для компенсації падіння цін. Перевезення бітів DRAM збільшилося на 23% QoQ, оскільки компанія активно реагувала на нові товари на ринку мобільних телефонів, а також збільшувались покупки у деяких клієнтів центру обробки даних. Ціни на DRAM залишилися слабкими протягом кварталу, що призвело до зниження середньої ціни продажу на 16%, при цьому зниження було меншим, ніж у попередньому кварталі. Хоча SK hynix активно реагував на ринок рішень, таких як мобільні продукти з високою щільністю та SSD, де попит продовжує відновлюватися, поставки бітів NAND Flash знизилися на 1% QoQ, оскільки компанія скоротила продаж сирих NAND, які тимчасово зросли в останній чверть. Це також призвело до зростання середньої ціни продажу на 4%, оскільки сировина NAND є відносно дешевою.

SK hynix планує розробити виробничу та інвестиційну стратегію для задоволення зростаючих потреб клієнтів, а також ефективно боротися з коливаннями попиту через зовнішні невизначеності.

Компанія перетворює частину виробничих ліній DRAM своєї M10 FAB в м. Ічхон, Корея, на лінії масового виробництва датчиків зображення CMOS (CIS), зменшуючи при цьому 2D потужність вафлі NAND Flash. Як результат, і наступний рік ємність DRAM та NAND Flash зменшиться порівняно з цим роком, і очікується, що обсяг інвестицій значно зменшиться і в наступному році.

SK hynix продовжить зосереджуватись на міграції технологій та розширювати продажі продукції з високою щільністю з високою доданою вартістю, щоб досягти більшого зростання, коли ринок покращується.

Компанія має намір збільшити частку 1-нм DRAM в асортименті продукції до початку 10% до кінця цього року та підготуватися до масового виробництва нещодавно розробленої продукції 1-нм DRAM. Крім того, компанія планує активно реагувати на ринки LPDDR5 та HBM2E, які, як очікується, будуть наступним роком сприйматися клієнтами.

Для NAND Flash до кінця цього року SK hynix збільшить частку 96-шарових 4D NAND продуктів більше ніж на середину 10%, готуючись до масового виробництва та продажу 128-шарового 4D NAND Flash. Оскільки компанія буде зосереджена на ринках смартфонів високого класу та SSD, в четвертому кварталі, як очікується, SSD становитиме близько 30% продажів компанії NAND Flash.

SK hynix will minimize business volatility based on this experience of a downturn, while making efforts to achieve sustainable growth.