Toshiba Memory представляє рішення пам'яті класу зберігання XL-FLASH
Toshiba Memory America, Inc. (TMA), the U.S.-based subsidiary of Toshiba Memory Corporation, today announced the launch of a new Storage Class Memory (SCM) solution: XL-FLASH. Based on the company's innovative BiCS FLASH 3D flash memory technology with 1-bit-per-cell SLC, XL-FLASH brings low latency and high performance to data center and enterprise storage. Sample shipments will start in September, with mass production expected to begin in 2020.
Класифікований як SCM (або стійка пам'ять), з можливістю зберігати його вміст, як NAND флеш-пам'ять, XL-FLASH усуває розрив у продуктивності між DRAM та NAND. Хоча енергонебезпечні рішення пам'яті, такі як DRAM, забезпечують швидкість доступу, необхідну вимогливим програмам, але продуктивність досягає великих витрат. Оскільки ціна за біт і масштабованість рівнів DRAM вимкнено, цей новий шар SCM (або стійка пам'ять) в ієрархії пам’яті викликає високу щільність, економічно ефективне енергонезалежне рішення NAND флеш-пам’яті. Захищений для зростання, галузевий аналітик фірми IDC підрахував, що очікується, що ринок СКМ сягне понад 3 млрд доларів у 2022 році.
Сидячи між спалахом DRAM та NAND, XL-FLASH забезпечує підвищену швидкість, зменшення затримки та більшу ємність зберігання - за менших витрат, ніж традиційна DRAM. XL-FLASH спочатку буде розгорнуто у форматі SSD, але може бути розширено до пристроїв, приєднаних до каналу пам’яті, що сидять на шині DRAM, таких як майбутні галузеві енергонезалежні модулі подвійної лінійки пам'яті (NVDIMM).
Основні характеристики
'With XL-FLASH, we are giving hyperscalers and enterprise server/storage providers a more cost-effective, lower latency storage solution that bridges the gap between DRAM and NAND performance,' noted Scott Nelson, senior vice president and general manager of Toshiba Memory America, Inc.'s Memory Business Unit. 'We're also opening the door for emerging technologies and industry standards that will enable different form factors for low-latency flash memory solutions. SCM is the next frontier for enterprise storage, and our role as one of the world's largest flash memory suppliers gives XL-FLASH a cost/performance edge over competing SCM solutions.'
Класифікований як SCM (або стійка пам'ять), з можливістю зберігати його вміст, як NAND флеш-пам'ять, XL-FLASH усуває розрив у продуктивності між DRAM та NAND. Хоча енергонебезпечні рішення пам'яті, такі як DRAM, забезпечують швидкість доступу, необхідну вимогливим програмам, але продуктивність досягає великих витрат. Оскільки ціна за біт і масштабованість рівнів DRAM вимкнено, цей новий шар SCM (або стійка пам'ять) в ієрархії пам’яті викликає високу щільність, економічно ефективне енергонезалежне рішення NAND флеш-пам’яті. Захищений для зростання, галузевий аналітик фірми IDC підрахував, що очікується, що ринок СКМ сягне понад 3 млрд доларів у 2022 році.

Основні характеристики
- 128 гигабит (Gb) вмирають (в 2-ти, 4-ти, 8-тимерному пакеті)
- Розмір сторінки в 4 КБ для більш ефективної операційної системи читання та запису
- 16-площинна архітектура для більш ефективного паралелізму
- Швидке читання сторінок та час програмування. XL-FLASH забезпечує низьку затримку зчитування менше ніж 5 мікросекунд, приблизно в 10 разів швидше, ніж існуюча TLC
'With XL-FLASH, we are giving hyperscalers and enterprise server/storage providers a more cost-effective, lower latency storage solution that bridges the gap between DRAM and NAND performance,' noted Scott Nelson, senior vice president and general manager of Toshiba Memory America, Inc.'s Memory Business Unit. 'We're also opening the door for emerging technologies and industry standards that will enable different form factors for low-latency flash memory solutions. SCM is the next frontier for enterprise storage, and our role as one of the world's largest flash memory suppliers gives XL-FLASH a cost/performance edge over competing SCM solutions.'